晶體管 IRFI1010NPBF FET,MOSFET
發(fā)布時間:2018/8/6
IRFI1010NPBF介紹:
描述 MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 55V 49A(Tc) 58W(Tc) TO-220AB 整包
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 49A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 12 毫歐 @ 26A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 58W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡便,有利于提高元器件的安裝密度。