晶體管 FDP51N25 FET-MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/7/16
FDP51N25介紹：
描述 MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 250V 51A（Tc） 320W（Tc） TO-220-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 51A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 60 毫歐 @ 25.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3410pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 320W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負(fù)極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極，測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等，則負(fù)表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測(cè)出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小，則為P溝道。
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