晶體管 PUMH20 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間:2018/7/11
PUMH20介紹:
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預(yù)偏置
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V
電阻器 - 基底(R1) 2.2 千歐
電阻器 - 發(fā)射極基底(R2) 2.2 千歐
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值) 1μA
頻率 - 躍遷 -
功率 - 最大值 300mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 6-TSSOP
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絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。