晶體管 MJD128T4G 雙極 (BJT) - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/7/11
MJD128T4G介紹：
描述 TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 2 周
詳細(xì)描述 Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類(lèi)型 PNP - 達(dá)林頓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 8A
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 120V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 4V @ 80mA，8A
電流 - 集電極截止（最大值） 5mA
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 4A，4V
功率 - 最大值 1.75W
頻率 - 躍遷 4MHz
工作溫度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝 DPAK
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但是電子學(xué)真正突飛猛進(jìn)的進(jìn)步，還應(yīng)該是從晶體管發(fā)明以后開(kāi)始的。尤其是PN結(jié)型晶體管的出現(xiàn)，開(kāi)辟了電子器件的新紀(jì)元，引起了一場(chǎng)電子技術(shù)的革命。
