晶體管 FDA59N25 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/7/4
FDA59N25介紹：
描述 MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 通孔 N 溝道 250V 59A（Tc） 392W（Tc） TO-3PN
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UniFET??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 59A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 49 毫歐 @ 29.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 82nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4020pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 392W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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