晶體管 BCR562 雙極 (BJT) - 單，預(yù)偏置
發(fā)布時(shí)間：2018/6/29
BCR562介紹：
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預(yù)偏置
制造商 Infineon Technologies
系列 -
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零件狀態(tài) 最後搶購
晶體管類型 PNP - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 60 @ 50mA，5V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大值） 100nA（ICBO）
頻率 - 躍遷 150MHz
功率 - 最大值 330mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 PG-SOT23-3
基本零件編號 BCR562
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