晶體管 FGP10N60UNDF UGBT
發(fā)布時間：2018/6/28
FGP10N60UNDF介紹：
描述 IGBT 600V 20A 139W TO220-3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 30A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.45V @ 15V，10A
功率 - 最大值 139W
開關(guān)能量 150μJ（開），50μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 37nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 8ns/52.2ns
測試條件 400V，10A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr） 37.7ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
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由于點(diǎn)接觸型晶體管制造工藝復(fù)雜，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障，它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點(diǎn)。為了克服這些缺點(diǎn)，肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點(diǎn)的大膽設(shè)想。半導(dǎo)體研究小組又提出了這種半導(dǎo)體器件的工作原理。
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