晶體管 TP2640LG-G MOSFET- FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/28
TP2640LG-G介紹：
描述 MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 400V 86mA（Tj） 740mW（Ta） 8-SOIC
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 400V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 86mA（Tj）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 15 歐姆 @ 300mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 740mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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早期金氧半場(chǎng)效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的金氧半場(chǎng)效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。金氧半場(chǎng)效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。
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