晶體管 SI7224DN-T1-E3 MOSFET - 陣列
發(fā)布時間:2018/6/28
SI7224DN-T1-E3介紹:
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 6A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 35 毫歐 @ 6.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 570pF @ 15V
功率 - 最大值 17.8W,23W
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8 雙
供應商器件封裝 PowerPAK? 1212-8 Dual
基本零件編號 SI7224
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金氧半場效晶體管里的氧化層位于其溝道上方,依照其操作電壓的不同,這層氧化物的厚度僅有數(shù)十至數(shù)百埃(?)不等,通常材料是二氧化硅(SiO2),不過有些新的高級制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做為氧化層之用。
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