晶體管 BLF642 MOSFET - 射頻
發(fā)布時(shí)間：2018/6/28
BLF642介紹：
描述 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 13 周
詳細(xì)描述 射頻 Mosfet LDMOS 32V 200mA 1.3GHz 19dB 35W SOT467C
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 Ampleon USA Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 LDMOS
頻率 1.3GHz
增益 19dB
電壓 - 測試 32V
額定電流 -
噪聲系數(shù) -
電流 - 測試 200mA
功率 - 輸出 35W
電壓 - 額定 65V
封裝/外殼 SOT467C
供應(yīng)商器件封裝 SOT467C
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MOSFET作為開關(guān)時(shí)，其源極與漏極的分別和其他的應(yīng)用是不太相同的，因?yàn)橛嵦柨梢詮腗OSFET柵極以外的任一端進(jìn)出。對NMOS開關(guān)而言，電壓最負(fù)的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓最正的一端是源極。
