晶體管 BSC100N03 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/26
BSC100N03介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 12A（Ta），44A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），30W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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MOSFET電路符號(hào)中，從通道往右延伸的箭號(hào)方向則可表示此元件為n-type或是p-type的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為p-type的MOSFET，或簡(jiǎn)稱(chēng)PMOS。
