晶體管 APT30N60BC6 半導體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2018/6/25
APT30N60BC6介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 30A（Tc） 219W（Tc） TO-247 [B]
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 CoolMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 125 毫歐 @ 14.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 960μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 88nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2267pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 219W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247 [B]
封裝/外殼 TO-247-3
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價格優(yōu)勢！
所出的物料，絕對原裝正品！放心購買！
本公司為一般納稅人，可開16%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201
電話：0755-83259719
無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。
2.jpg)