存儲器 CY62167EV18LL-55BVXI SRAM
發(fā)布時間：2018/6/25
CY62167EV18LL-55BVXI介紹：
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 11 周
詳細描述 SRAM - 異步 存儲器 IC 16Mb （1M x 16） 并聯(lián) 55ns 48-VFBGA（6x8）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 MoBL?
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 SRAM
技術(shù) SRAM - 異步
存儲容量 16Mb （1M x 16）
寫周期時間 - 字，頁 55ns
訪問時間 55ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.65 V ~ 2.25 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝 48-VFBGA（6x8）
基本零件編號 CY62167
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你可能遇到的一種類型的存儲芯片問題是災(zāi)難性的失效。這通常是在加工好之后芯片受到物理或者是電子損傷造成的。災(zāi)難性失效是少見的，通常影響芯片中的大部分。因為一大片區(qū)域受到影響，所以災(zāi)難性的失效當(dāng)然可以被合適的測試算法檢測到。
