晶體管 SPB17N80C3 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/20
SPB17N80C3介紹：
描述 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 800V 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 17A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 290 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 177nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 227W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-3-2
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
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與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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