晶體管 IMD6AT108 預(yù)偏置
發(fā)布時(shí)間：2018/6/19
IMD6AT108介紹：
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預(yù)偏置
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 4.7 千歐
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） -
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA（ICBO）
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 最大值 300mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SC-74，SOT-457
供應(yīng)商器件封裝 SMT6
基本零件編號(hào) *MD6
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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