晶體管 IRF7311PBF MOSFET - 陣列
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
IRF7311PBF介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 6.6A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 6A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 900pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號(hào) IRF7311PBF
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晶體管因?yàn)橛腥N極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨隅器）。
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