晶體管 TN2425N8-G MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/6/13
TN2425N8-G介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 18 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 25V 480mA（Tj） 1.6W（Tc） SOT-89-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microchip Technology
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 480mA（Tj）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.5 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-89-3
封裝/外殼 TO-243AA
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絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
