晶體管 RQ3E150BNTB MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/6/11
RQ3E150BNTB介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 40 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 15A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3000pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 5.3 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-HSMT（3.2x3）
封裝/外殼 8-PowerVDFN
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這也使得MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中最快的一種。MOSFET在數(shù)位訊號(hào)處理上最主要的成功來(lái)自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)最大的好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過(guò)。
