晶體管 IRF3575DTRPBF MOSFET - 陣列
發(fā)布時(shí)間：2018/6/8
IRF3575DTRPBF介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 2（1 年）
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 303A (Tc) Surface Mount 32-PQFN (6x6)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 303A（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） -
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 -
工作溫度 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 32-PowerWFQFN
供應(yīng)商器件封裝 32-PQFN（6x6）
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晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。最終通過計(jì)算機(jī)轉(zhuǎn)化和呈現(xiàn)為模擬形式。受到數(shù)字化革命影響的領(lǐng)域包括電視、廣播和報(bào)紙。
