存儲器 M34F04-WMN6TP EEPROM
發(fā)布時間：2018/6/7
M34F04-WMN6TP介紹：
描述 IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8SO
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
制造商標準提前期 21 周
詳細描述 EEPROM 存儲器 IC 4Kb （512 x 8） I2C 400kHz 900ns 8-SO
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 EEPROM
技術 EEPROM
存儲容量 4Kb （512 x 8）
時鐘頻率 400kHz
寫周期時間 - 字，頁 5ms
訪問時間 900ns
存儲器接口 I2C
電壓 - 電源 2.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SO
基本零件編號 M34F04
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PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且寫入資料的速度比ROM的量產(chǎn)速度要慢，一般只適用于少量需求的場合或是ROM量產(chǎn)前的驗證。
