晶體管 SPW32N50C3FKSA1 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/7
SPW32N50C3FKSA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 560V 32A（Tc） 284W（Tc） PG-TO247-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 560V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 32A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1.8mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 284W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 110 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。
