晶體管 TK6A65D(STA4,Q,M) MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/6
TK6A65D(STA4,Q,M)介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 π-MOSVII
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1050pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.11 歐姆 @ 3A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220SIS
封裝/外殼 TO-220-3 整包
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。
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