存儲器 BRCB064GWZ-3E2 EEPROM
發(fā)布時間：2018/6/6
BRCB064GWZ-3E2介紹：
描述 IC EEPROM 64KBIT 400KHZ 30UCSP
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
詳細(xì)描述 EEPROM 存儲器 IC 64Kb （8K x 8） I2C 400kHz UCSP30L1
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 EEPROM
技術(shù) EEPROM
存儲容量 64Kb （8K x 8）
時鐘頻率 400kHz
寫周期時間 - 字，頁 5ms
存儲器接口 I2C
電壓 - 電源 1.6 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-XFBGA，CSPBGA
供應(yīng)商器件封裝 UCSP30L1
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在較大的微控制器系統(tǒng)或基于處理器的系統(tǒng)中，設(shè)計工程師可以利用引導(dǎo)代碼進(jìn)行初始化。應(yīng)用本身通常決定了是否需要引導(dǎo)代碼，以及是否需要專門的引導(dǎo)存儲器。
