晶體管 SI4894BDY-T1-E3 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間:2018/6/5
SI4894BDY-T1-E3介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 8.9A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1580pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 11 毫歐 @ 12A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺(tái)晶體管收音機(jī)只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽(tīng)下去,這對(duì)電子管收音機(jī)來(lái)說(shuō),是難以做到的。
