晶體管 SIHB6N65E-GE3 MOSFET
發(fā)布時間:2018/6/1
SIHB6N65E-GE3介紹:
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 7A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 820pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 78W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 600 毫歐 @ 3A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK(TO-263)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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在模擬電路中,晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路;在計算機電源中,主要用于開關電源。
晶體管也應用于數(shù)字電路,主要功能是當成電子開關。數(shù)字電路包括邏輯門、隨機存取內(nèi)存(RAM)和微處理器。
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