晶體管 FDMC5614P MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/1
FDMC5614P介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 5.7A（Ta），13.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1055pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 5.7A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-MLP（3.3x3.3）
封裝/外殼 8-PowerWDFN
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而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管組件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效晶體管。
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