晶體管 IXFQ23N60Q FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/31
IXFQ23N60Q介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 600V 23A（Tc） TO-268
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 -
包裝 ? 散裝 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 23A（Tc）
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） -
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） -
工作溫度 -
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-268
封裝/外殼 TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負(fù)極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負(fù)表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
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