MOSFET - 單 RTL030P02TR 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/5/31
RTL030P02TR介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 3A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 760pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 70 毫歐 @ 3A，4.5V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TUMT6
封裝/外殼 6-SMD，扁平引線
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MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的首選，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來(lái)得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。
