MOSFET - 單 BSB044N08NN3 G 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/5/30
BSB044N08NN3 G介紹：
描述 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 3（168 小時(shí)）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 39 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 80V 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 18A（Ta），90A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 97μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 73nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 5700pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），78W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 4.4 毫歐 @ 30A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 MG-WDSON-2，CanPAK M?
封裝/外殼 3-WDSON
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、
臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)！
所出的物料，絕對(duì)原裝正品！放心購(gòu)買！
本公司為一般納稅人，可開16%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201
電話：0755-83259719
功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結(jié)構(gòu)上就有著顯著的差異。一般積體電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結(jié)構(gòu)，晶體管內(nèi)的各端點(diǎn)都離芯片表面只有幾個(gè)微米的距離。
