半導(dǎo)體產(chǎn)品 FDMS3604S MOSFET - 陣列
發(fā)布時(shí)間：2018/5/29
FDMS3604S介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 39 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 13A，23A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1785pF @ 15V
功率 - 最大值 1W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝 Power56
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金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。
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