晶體管 NTS2101PT1G MOSFET
發(fā)布時間：2018/5/28
NTS2101PT1G介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 8V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.4nC @ 5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 640pF @ 8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 290mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 1A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SC-70-3（SOT323）
封裝/外殼 SC-70，SOT-323
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
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