晶體管 MMBFJ113 JFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/22
MMBFJ113介紹：
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - JFET
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
電壓 - 擊穿（V（BR）GSS） 35V
不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss） 2mA @ 15V
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)） 500mV @ 1μA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） -
電阻 - RDS（開(kāi)） 100 Ohms
功率 - 最大值 350mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
基本零件編號(hào) MBFJ113
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通過(guò)改變外加PN結(jié)的反向偏置電壓，以改變PN結(jié)耗盡層的厚度，從而達(dá)到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為PN結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即PN JFET(PN Junction FET)，通常也稱(chēng)JFET。
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