晶體管 IPB65R420CFD FET
發(fā)布時間：2018/5/22
IPB65R420CFD介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 最後搶購
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 8.7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 340μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 870pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 83.3W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 420 毫歐 @ 3.4A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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PDSM - 最大耗散功率，也是一項極限參數(shù)，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時，場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量.
