晶體管 SSM6N15AFU MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/7
SSM6N15AFU介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 18 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 100mA
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.6 歐姆 @ 10mA，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 13.5pF @ 3V
功率 - 最大值 300mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 US6
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在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因?yàn)槭褂猛粋€(gè)基極（common bulk），所以不標(biāo)示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個(gè)圓圈以示區(qū)別。
