晶體管 SSM6L35FE FET
發(fā)布時間：2018/5/4
SSM6L35FE介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 180mA，100mA
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 歐姆 @ 50mA，4V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9.5pF @ 3V
功率 - 最大值 150mW
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝 ES6（1.6x1.6）
基本零件編號 SSM6L35
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。
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