晶體管 VRF151G MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/4
VRF151G介紹：
描述 MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 27 周
詳細(xì)描述 射頻 Mosfet N 通道 50V 500mA 175MHz 16dB 300W M208
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 N 通道
頻率 175MHz
增益 16dB
電壓 - 測(cè)試 50V
額定電流 36A
噪聲系數(shù) -
電流 - 測(cè)試 500mA
功率 - 輸出 300W
電壓 - 額定 170V
封裝/外殼 4-SMD
供應(yīng)商器件封裝 M208
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MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的 氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場(chǎng)效晶體管元件時(shí)比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。
