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集成電路(IC)JS28F640J3F75A 存儲器

發(fā)布時間:2018/4/25

JS28F640J3F75A介紹;

描述 IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)

詳細描述 FLASH - NOR 存儲器 IC 64Mb (8M x 8,4M x 16) 并聯(lián) 75ns 56-TSOP(14x20)

類別 集成電路(IC)

存儲器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 StrataFlash??

包裝 ? 托盤 ?

零件狀態(tài) 停產

存儲器類型 非易失

存儲器格式 閃存

技術 FLASH - NOR

存儲容量 64Mb (8M x 8,4M x 16)

寫周期時間 - 字,頁 75ns

訪問時間 75ns

存儲器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 56-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

供應商器件封裝 56-TSOP(14x20)

基本零件編號 JS28F640


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非永久記憶的存儲器:斷電后信息即消失的存儲器。永久記憶性存儲器:斷電后仍能保存信息的存儲器。按用途根據(jù)存儲器在計算機系統(tǒng)中所起的作用,可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。為了解決對存儲器要求容量大,速度快,成本低三者之間的矛盾,通常采用多級存儲器體系結構,即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。