晶體管 STW77N65M5 FET
發(fā)布時間：2018/4/16
STW77N65M5介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh? V
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 69A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 200nC @ 10V
Vgs（最大值） 25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9800pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 400W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 38 毫歐 @ 34.5A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
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晶體管的發(fā)明，最早可以追溯到1929年，當(dāng)時工程師利蓮費爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專利。但是，限于當(dāng)時的技術(shù)水平，制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來。
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