存儲(chǔ)器MT42L128M32D1LF-25 WT:A DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/12
MT42L128M32D1LF-25 WT:A介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - 移動(dòng) LPDDR2
存儲(chǔ)容量 4Gb （128M x 32）
時(shí)鐘頻率 400MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) -
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.14 V ~ 1.3 V
工作溫度 -30°C ~ 85°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 168-WFBGA
供應(yīng)商器件封裝 168-FBGA（12x12）
基本零件編號(hào) MT42L128M32
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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FP/EDO 內(nèi)存，由于 半導(dǎo)體工藝的限制，頻率只有25MHz/50MHz，自SDR以后頻率從66MHz一路飆升至133MHz，終于遇到了難以逾越的障礙。此后所誕生的DDR1/2/3系列，它們 存儲(chǔ)單元官方頻率（JEDEC制定）始終在100MHz-200MHz之間徘徊，非官方（ 超頻）頻率也頂多在250MHz左右，很難突破300MHz。事實(shí)上高頻 內(nèi)存的出錯(cuò)率很高、穩(wěn)定性也得不到保證，除了 超頻跑簡(jiǎn)單測(cè)試外并無(wú)實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
