存儲器MT40A512M8RH-075E AIT:B DRAM
發(fā)布時間：2018/4/12
MT40A512M8RH-075E AIT:B介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR4
存儲容量 4Gb （512M x 8）
時鐘頻率 1.33GHz
寫周期時間 - 字，頁 -
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.14 V ~ 1.26 V
工作溫度 -40°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA（9x10.5）
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
