存儲(chǔ)器 S29GL512N11TFI020閃存
發(fā)布時(shí)間：2018/4/12
S29GL512N11TFI020介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 GL-N
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NOR
存儲(chǔ)容量 512Mb （64M x 8，32M x 16）
寫周期時(shí)間 - 字，頁 110ns
訪問時(shí)間 110ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 56-TSOP
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閃存的基本單元電路如下圖所示，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級(jí)浮空柵加以正電壓，使電子進(jìn)入第一級(jí)浮空柵。讀出方法與EPROM相同。
