存儲器 M25PE10-VMN6TP 閃存
發(fā)布時間：2018/4/11
M25PE10-VMN6TP介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NOR
存儲容量 1Mb （128K x 8）
時鐘頻率 75MHz
寫周期時間 - 字，頁 15ms，3ms
存儲器接口 SPI
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號 M25PE10
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閃存的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。
