存儲器IS62WV51216BLL-55BI SRAM
發(fā)布時間：2018/4/11
IS62WV51216BLL-55BI介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 SRAM
技術(shù) SRAM - 異步
存儲容量 8Mb （512K x 16）
寫周期時間 - 字，頁 55ns
訪問時間 55ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.5 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 48-迷你型BGA（6x8）
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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按照與CPU的接近程度，存儲器分為內(nèi)存儲器與外存儲器，簡稱內(nèi)存與外存。內(nèi)存儲器又常稱為主存儲器（簡稱主存），屬于主機的組成部分；外存儲器又常稱為輔助存儲器（簡稱輔存），屬于外部設(shè)備。CPU不能像訪問內(nèi)存那樣，直接訪問外存，外存要與CPU或I/O設(shè)備進行數(shù)據(jù)傳輸，必須通過內(nèi)存進行。在80386以上的高檔微機中，還配置了高速緩沖存儲器（cache），這時內(nèi)存包括主存與高速緩存兩部分。
