存儲器 MT41K512M8RH-125 IT:E DRAM
發(fā)布時間:2018/4/11
MT41K512M8RH-125 IT:E介紹:
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲容量 4Gb (512M x 8)
時鐘頻率 800MHz
寫周期時間 - 字,頁 -
訪問時間 13.75ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V
工作溫度 -40°C ~ 95°C(TC)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA(9x10.5)
基本零件編號 MT41K512M8
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:
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構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),存儲元,它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元,每個存儲單元可存放一個字節(jié)(按字節(jié)編址)。
