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存儲器 MT41J256M4JP-125:G DRAM

發(fā)布時間:2018/4/11

MT41J256M4JP-125:G介紹:
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) Digi-Key 停止供應(yīng)
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3
存儲容量 1Gb (256M x 4)
時鐘頻率 800MHz
寫周期時間 - 字,頁 -
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度 0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA(8x11.5)
基本零件編號 MT41J256M4
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philips)、
海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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以存儲體(大量存儲單元組成的陣列)為核心,加上必要的地址譯碼、讀寫控制電路,即為存儲集成電路;再加上必要的I/O接口和一些額外的電路如存取策略管理,則形成存儲芯片,比如手機中常用的存儲芯片。