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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 IKW40N60H3FKSA1 晶體管

發(fā)布時間:2018/4/10

IKW40N60H3FKSA1介紹;
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 52 周
詳細描述 IGBT Trench Field Stop 600V 80A 306W Through Hole PG-TO247-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 160A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值 306W
開關(guān)能量 1.68mJ
輸入類型 標準
柵極電荷 223nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值 19ns/197ns
測試條件 400V,40A,7.9 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr) 124ns
工作溫度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3

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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。