NAND S34ML02G100TFI000 存儲器
發(fā)布時間：2018/4/9
S34ML02G100TFI000介紹；
描述 IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
詳細描述 FLASH - NAND 存儲器 IC 2Gb （256M x 8） 并聯(lián) 48-TSOP I
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 ML-1
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NAND
存儲容量 2Gb （256M x 8）
寫周期時間 - 字，頁 25ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應商器件封裝 48-TSOP I
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹；
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由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應用可編程定時器8253的計數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。