正品保證PSMN00330B集成電路IC
發(fā)布時(shí)間:2018/2/28
制造商
NXP USA Inc.
制造商零件編號(hào)
PSMN003-30B,118
描述 MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無(wú)限)
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 NXP USA Inc.
系列 TrenchMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 75A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 9200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 2.8 毫歐 @ 25A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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