廠家直銷BCR22PNE6327集成電路IC
發(fā)布時(shí)間：2018/1/24
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號(hào)
BCR22PNE6327BTSA1
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
晶體管類型 1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 22 千歐
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 22 千歐
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 50 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） -
頻率 - 躍遷 130MHz
功率 - 最大值 250mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 PG-SOT363-6
基本零件編號(hào) BCR22PN
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