質(zhì)優(yōu)原裝現(xiàn)貨IPG20N06S2L-65A集成電路IC
發(fā)布時(shí)間：2018/1/12
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號(hào)
IPG20N06S2L65AATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 汽車級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 20A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 14μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V
功率 - 最大值 43W
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-10
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